特許
J-GLOBAL ID：200903009430158239

不揮発性半導体記憶セルの制御方法、および不揮発性半導体記憶装置

発明者：
河端 正蔵

河端 正蔵 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 山中 郁生 ,  富澤 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-274753
公開番号（公開出願番号）：特開2004-110986
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】過度な電界を印加することなく信頼性を確保した上で、消去動作または書き込み動作を高速に行うための制御方法、および不揮発性半導体記憶装置を提供すること【解決手段】バイアス印加期間とベリファイ期間とからなる動作サイクルを所定周期纏めた動作ユニットごとに、バイアス電圧VBSとして加算電圧ΔVを加算していけば、略同一の動作ユニット継続時間により動作ユニットごとに同等な注入電流IFG特性を有して書き込み動作を行うことができる。この場合、動作ユニットごとに動作サイクルを短縮していき、ベリファイ期間の周期を短縮していけば、バイアス印加期間の途中で書き込み動作が完了してしまい、その後も書き込み動作が継続して不揮発性半導体記憶セルへの過度な電圧ストレスとなってしまうことを防止することができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
消去または書き込み用のバイアス電圧を印加するバイアス印加期間と、前記バイアス印加期間の終了後に結果確認を行うベリファイ期間とを動作サイクルとして、前記動作サイクルを繰り返し行うことにより不揮発性半導体記憶セルに対して消去動作または書き込み動作を行う際、 前記消去動作または前記書き込み動作の進行に従い、連続する少なくとも1つの前記動作サイクルを含む動作ユニットごとに前記バイアス電圧が深くなり、前記動作ユニットの継続時間が、1つ前の前記動作ユニットとの前記バイアス電圧の電圧差に対して正の相関を有して調整されるバイアス調整ステップと、 前記消去動作または前記書き込み動作の終端部において、前記動作サイクルの周期が最短周期となるベリファイステップとを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶セルの制御方法。
IPC (6件)：
G11C16/02 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (7件)：
G11C17/00 611A ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 612B ,  G11C17/00 612E
Fターム (25件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AD15 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083ER02 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083ER21 ,  5F083ER30 ,  5F083GA01 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BC01 ,  5F101BC11 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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