不揮発性半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072579
公開番号（公開出願番号）：特開平8-329694
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】ベリファイにおいて高速で最適な書き込み、狭い閾値分布を達成する。【解決手段】書き込み制御回路11は、全てのメモリセルに正確なデータが書き込まれていない場合に、再書き込みを指示する制御信号P,Cを出力する。ループカウンタ12は、書き込みの回数を示す出力信号Niを出力する。書き込み電圧制御回路14は、出力信号Niを受け、書き込み回数が増えるに従って書き込み電圧VPPを次第に上昇させ、かつ、書き込み電圧VPPが上限(最大値)になった後には、書き込み電圧を最大値に維持するように、昇圧回路15を制御する。タイマ13は、出力信号Niを受け、書き込み電圧VPPが上限になった後には、書き込み回数が増えるに従って書き込み時間を次第に長く設定する。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのメモリセルにデータを書き込む手段と、前記メモリセルアレイのメモリセルからデータを読み出し、正確なデータが書き込まれているか否かを判断する手段と、前記メモリセルアレイの全てのメモリセルに正確なデータが書き込まれていない場合に再書き込みを実行する手段と、前記再書き込みの書き込み回数が増えるに従って書き込み電圧を次第に上昇させ、かつ、書き込み電圧が最大値になった後には、書き込み電圧を最大値に維持し、前記再書き込みの書き込み回数が増えるに従って書き込み時間を次第に長く設定する手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 510 A , G11C 17/00 510 C

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭56-114199
特開平1-159895
特開平4-102981

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審査官引用 (11件)

特開昭56-114199
特開平1-159895
特開平4-102981

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