基体の表面洗浄方法及び表面洗浄剤

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-310910
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161672
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】基体の表面洗浄方法及び表面洗浄剤【目的】洗浄剤から基体への金属不純物の逆汚染を防止し、かつ、安定的に、極めて清浄な基体の表面を得る事のできる基体の表面洗浄方法及び表面洗浄剤を提供することを目的とするものである。【構成】基体の表面洗浄方法は、水溶液の酸化還元電位(水素標準電極に対する酸化還元電位)。以下同じ)を、除去しようとする不純物金属の酸化還元電位よりも高い値に制御して基体表面の洗浄を行うことを特徴とする。水溶液の酸化還元電位を0.6V以上とすることをが好ましい。基体表面の洗浄剤は、水溶液の酸化還元電位が0.6V以上であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

水溶液の酸化還元電位(水素標準電極に対する酸化還元電位)。以下同じ)を、除去しようとする不純物金属の酸化還元電位よりも高い値に制御して基体表面の洗浄を行うことを特徴とする基体の表面洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , H01L 21/308

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-354334
特開平3-228328
特開平4-114428

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