半導体結晶,その製造方法及び半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003347
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269476
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 SiGeC層における熱処理に伴う結晶構造の劣化を抑制しうる構造を実現する。【解決手段】離散した量子化準位が生じない程度に薄い,数原子層程度の厚みのSi<SB>1-x</SB> Ge<SB>x</SB> 層(0<x<1)と、Si<SB>1-y</SB> C<SB>y</SB> 層(0<y<1)とを交互に多層に積層し、単一のSiGeC層として機能しうるSi<SB>1-x</SB> Ge<SB>x</SB> /Si<SB>1-</SB><SB>y</SB> C<SB>y</SB> 短周期超格子体を形成する。これにより、Ge-C結合を排除し、結晶性が良好でありかつ熱的にも安定なSiGeC-3元混晶体を得る。Si<SB>1-x</SB> Ge<SB></SB><SB>x</SB> /Si<SB>1-y</SB> C<SB>y</SB> 短周期超格子体の形成方法としては、Si<SB>1-x</SB> Ge<SB>x</SB> 層とSi<SB></SB><SB>1-y</SB> C<SB>y</SB> 層とを交互にエピタキシャル成長させる方法と、Si/Si<SB>1-x</SB> Ge<SB>x</SB>短周期超格子体を形成した後、Cのイオン注入を行ない、さらに熱処理によってC原子をSi層に移動させる方法とがある。

請求項（抜粋）：

SiとGeとを主成分とするSi<SB>1-x</SB> Ge<SB>x</SB> 層(0<x<1)と、SiとCとを主成分とするSi<SB>1-y</SB> C<SB>y</SB> 層(0<y<1)とを2周期以上交互に積層したSi<SB>1-x</SB> Ge<SB>x</SB> /Si<SB>1-y</SB> C<SB>y</SB> 超格子体構造を有し、上記Si<SB>1-x</SB> Ge<SB>x</SB> /Si<SB>1-y</SB> C<SB>y</SB> 超格子体は、単一のSiGeC層として機能することを特徴とする半導体結晶。

IPC (4件)：

H01L 29/06 , H01L 21/205 , H01L 21/265 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/06 , H01L 21/205 , H01L 21/265 602 A , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 H

Fターム (20件)：

5F040DA01 , 5F040DC01 , 5F040DC02 , 5F040EC07 , 5F040EE04 , 5F040EE06 , 5F045AA07 , 5F045AA15 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AD09 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA54 , 5F045HA15 , 5F045HA16

引用特許：

審査官引用 (1件)

混晶半導体
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-092347 出願人：松下電器産業株式会社

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