特許

J-GLOBAL ID：200903009474748270

ダイナミックRAM

発明者： 河野 通 ,  竹田 仁 ,  片倉 雅幸 ,  橋口 昭彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-273752
公開番号（公開出願番号）：特開平6-103770
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 リセット期間中にリーク電流が流れないようにすることにより、スタンバイ電流の低減を可能としたダイナミックRAMを提供する。【構成】 複数行および複数列に配列された複数個のメモリセル3の各列に対応して設けられたビット線対1a,1bをプリチャージするためのプリチャージ電位を発生するプリチャージ電位発生回路12と、プリチャージ電位をビット線対1a,1bに選択的に供給するプリチャージ用トランジスタ6a,6bと、ビット線対1a,1bをイコライズするイコライズ用トランジスタ7とを具備し、プリチャージを行アドレス選択信号RASN のアクティブ期間中に行うとともに、イコライズを行アドレス選択信号RASN のスタンバイ期間に開始し、アクティブ期間に終了する。

請求項（抜粋）：

複数行および複数列に配列された複数個のメモリセルの各列に対応して設けられたビット線対をプリチャージするためのプリチャージ電位を発生するプリチャージ電位発生手段と、前記プリチャージ電位を前記ビット線対に選択的に供給するプリチャージ手段とを具備し、前記プリチャージ手段によるプリチャージを行アドレス選択信号のアクティブ期間中に行うことを特徴とするダイナミックRAM。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-047588
  
• 特開平4-002989
  
• 半導体集積装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-201658   出願人：九州日本電気株式会社