特許
J-GLOBAL ID：200903009478618940
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-241953
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059856
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 ウェハ裏面から注入した不純物イオンを、ウェハ表面側に形成した構造に影響を及ぼすことなく、ウェハ裏面から深い領域まで十分に活性化させること。【解決手段】 FZウェハ11の表面に半導体装置の表面側構造を形成し、FZウェハの11裏面に不純物イオンを注入した後、波長が240nm〜1070nmで、かつ半値幅が100ns〜500nsのパルスレーザーを用いたレーザーアニール、またはそのレーザーアニールと低温での電気炉アニールを組み合わせて、注入イオンの活性化熱処理をおこなう。パルスレーザーとして、たとえばYAGレーザーの第3高調波を用いる。
請求項（抜粋）：
ウェハ表面に半導体装置の表面側構造を形成する形成工程と、ウェハ裏面に不純物イオンを注入するイオン注入工程と、前記ウェハ裏面に、波長が240nm〜1070nmで、かつ半値幅が100ns〜500nsのパルスレーザーを照射するレーザー照射工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265 602
, H01L 21/336
, H01L 29/78 655
H01L 21/265 602 C
, H01L 29/78 655 Z
, H01L 29/78 658 A
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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