特許
J-GLOBAL ID：200903009483362369
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-294079
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118842
出願日： 1999年10月15日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜に多孔質材料を用いた場合でも、ビアホール等の加工表面のマイクロボイドを消失せしめ、メタルを埋設する際の歩留りを向上させ、且つ、安定した性能の半導体装置の製造を可能にする。【解決手段】 層間絶縁膜に多孔質材料103を用いた半導体装置において、前記層間絶縁膜のビアホール等の加工部分の側面103S近傍のマイクロボイドを消失せしめたことを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
層間絶縁膜に多孔質材料を用いた半導体装置において、前記層間絶縁膜のビアホール等の加工部分の側面の密度が、前記層間絶縁膜の他の部分の密度より相対的に高いことを特徴とする半導体装置。
Fターム (7件)：
5F058BA09
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC20
, 5F058BH20
, 5F058BJ01
, 5F058BJ02
