半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-043228
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237833
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 ECR-SiO2 膜からなる層間絶縁膜の耐水性を向上させることを課題とする。【解決手段】下層金属配線3上にECRプラズマCVD法により酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜4を形成し、フォトレジストをマスクとしてエッチングによりコンタクトホール6を形成し、フォトレジストを酸素プラズマ又はオゾンて処理して除去し、シリル化剤により処理してコンタクトホール内の下層金属配線3と層間絶縁膜4の表面にシリル化層7を形成し、次いでコンタクトホール内の下層金属配線3の表面のシリル化層7を除去した後、層間絶縁膜4上に上層金属配線8を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも下層金属配線、層間絶縁膜、上層金属配線、及び下層金属配線と上層金属配線とを接続するためのコンタクトホールを有する半導体装置の製造方法であって、下層金属配線上にECRプラズマCVD法により酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜を形成し、フォトレジストをマスクとしてエッチングによりコンタクトホールを形成し、フォトレジストを酸素プラズマ又はオゾンて処理して除去し、シリル化剤により処理してコンタクトホール内の下層金属配線と層間絶縁膜の表面にシリル化層を形成し、次いでコンタクトホール内の下層金属配線の表面のシリル化層を除去した後、層間絶縁膜上に上層金属配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/90 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-159666 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平4-073953
半導体素子の層間絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-087659 出願人：株式会社神戸製鋼所

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