特許
J-GLOBAL ID:200903009490739460
熱電モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
上村 輝之
, 宮川 長夫
, 中村 猛
, 大槻 昇
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-231863
公開番号(公開出願番号):特開2006-049736
出願日: 2004年08月09日
公開日(公表日): 2006年02月16日
要約:
【課題】 熱電素子と電極との間にチタン層またはチタン合金層を設けるときに、各層間の密着性を高めるための技術を提供する。 【解決手段】 P型またはN型の熱電素子50,60と、P型またはN型の熱電素子50,60と接合される電極71,72,73と、P型またはN型の熱電素子50,60と電極71,72,73との間に設けられた中間層とを備える。この中間層は、電極71,72,73上に形成されたチタン層83,84,93,94またはチタン合金層と、チタン層83,84,93,94またはチタン合金層と熱電素子50,60との間に設けられたアルミニウム層81,82,91,92またはアルミニウム合金層とを備える。 【選択図】 図2
請求項(抜粋):
P型またはN型の熱電素子と、前記P型またはN型の熱電素子と接合される電極と、前記P型またはN型の熱電素子と前記電極との間に設けられた中間層とを備えた熱電モジュールであって、
前記中間層は、前記電極上に形成されたチタン層またはチタン合金層と、前記チタン層またはチタン合金層と前記熱電素子との間に設けられたアルミニウム層またはアルミニウム合金層とを備えたことを特徴とする熱電モジュール。
IPC (3件):
H01L 35/08
, H01L 35/32
, H02N 11/00
FI (3件):
H01L35/08
, H01L35/32
, H02N11/00 A
引用特許:
出願人引用 (1件)
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熱電モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-032445
出願人:株式会社小松製作所
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