特許
J-GLOBAL ID:200903009540970290

固体撮像装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松浦 兼行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-241435
公開番号(公開出願番号):特開2007-129192
出願日: 2006年09月06日
公開日(公表日): 2007年05月24日
要約:
【課題】固体撮像装置のフォトダイオード以外に入射する迷光を、メタル配線層や導波路の壁面に形成された金属膜で防止する方法は、斜め光を防ぎきれない。金属膜をフォトダイオードに接触させて斜め光を防ぐと、フォトダイオードが製造時にダメージを受ける。【解決手段】フォトダイオード22の上方には、入射光がフォトダイオード22に到達するための光透過層27が配置される。光透過層27を囲うように、遮光性金属膜28が配置される。遮光性金属膜28の下端は、第一メタル配線層24の下面よりも低く、さらには、電荷読み出しゲート23の上面より低い。この構成により、斜めに入射して横方向に反れる光であっても、その殆どは遮光性金属膜28に遮られて、迷光とはならない。遮光性金属膜28の下端は、フォトダイオード22には接触しないため、製造工程においてフォトダイオード22の表面に損傷を与えることがない。【選択図】図1
請求項(抜粋):
入力された電荷に応じた信号を出力する出力用トランジスタと、光を電荷に変換して蓄積するフォトダイオードと、前記フォトダイオードに蓄積された前記電荷を読み出して前記出力用トランジスタに転送する電荷転送手段とを含む単位画素が基板に規則的に複数配列されると共に、前記基板上に形成された配線層中に複数層のメタル配線層を備えた固体撮像装置において、 前記フォトダイオード毎に、 該フォトダイオードの上方に形成された光透過層と、 前記光透過層内に入射した光が前記フォトダイオード以外に入射するのを防ぐために、該光透過層を囲うように形成された遮光性金属膜と を備え、前記遮光性金属膜の下端が、複数層の前記メタル配線層のうち最下層のメタル配線層の上面よりも低く、かつ、前記フォトダイオードの表面よりも高い位置に形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件):
H01L 27/14 ,  H01L 31/10
FI (2件):
H01L27/14 D ,  H01L31/10 A
Fターム (28件):
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118FA33 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049QA03 ,  5F049RA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SS02 ,  5F049SZ16 ,  5F049TA12 ,  5F049UA01 ,  5F049UA14 ,  5F049WA03
引用特許:
出願人引用 (2件)

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