高速動作及び低電源供給電圧に適したセル構造を有する不揮発性半導体集積回路

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-062585
公開番号（公開出願番号）：特開平6-325581
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】高速動作及び低電源供給電圧に適切な単位セル構造を有する高集積不揮発性半導体集積回路を提供する。【構成】各メモリストリングのストリング選択トランジスタ44(54)とビット線BLとの間にエンハンスメント形トランジスタで構成されたスイッチング手段42(52)を備える。このスイッチング手段42(52)は自分の属するストリングが選択された場合にのみ導通し、それ以外の場合は非道通となってビット線との接合キャパシタンスを抑制するよう働く。また、メモリストリングとビット線BLが接続するビット線接続部40における基板には、他のトランジスタのソース及びドレインとなるアクティブ領域より不純物濃度を低くしたアクティブ領域を形成して接続領域とする。不純物濃度が低いので発生するキャパシタンスも小さくなる。したがって、アクティブ領域とビット線との間で発生する接合キャパシタンスを抑制できる。

請求項（抜粋）：

ビット線接続部とソース線との間にストリング選択トランジスタとメモリトランジスタとをNAND構造で接続してなる単位セル構造を有する不揮発性半導体集積回路において、ビット線接続部とストリング選択トランジスタとの間にチャネルが直列接続され、またブロック選択信号を制御入力とし、ストリングの選択が行われる際に、ブロック選択信号に応じて導通、非導通となるスイッチング手段を備えたことを特徴とする不揮発性半導体集積回路。

IPC (6件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 307 D , G11C 17/00 309 Z , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-279498
特開平2-132862
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-336211 出願人：ローム株式会社

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