特許

J-GLOBAL ID：200903009599693443

フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターンの形成方法及び半導体素子

発明者： 李 根守 ,  鄭 載昌 ,  申 起秀
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-122435
公開番号（公開出願番号）：特開2003-040931
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：

【要約】【課題】 VUV(157nm)光源でも用いることができるフォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体を提供する。【解決手段】 下記式(1)で示されるフォトレジスト単量体、その重合体及びこれを利用するフォトレジスト組成物である。【化1】前記式で、X1、X2、Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、l、m、は明細書に定義した通りである。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】前記式で、X1及びX2は、各々炭素数C1〜C10のアルキレン、O又はSで、Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7及びY8は、各々ハロゲン、一部がハロゲンに置換されたアルキル、又は全部がハロゲンに置換されたアルキルであり、l及びmは、各々0〜3の中から選択される整数である。

IPC (10件)：

C08F 32/08 ,  C07C 23/38 ,  C07D493/08 ,  C07D495/08 ,  C08F 34/02 ,  C08F 34/04 ,  C08F220/18 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (10件)：

C08F 32/08 ,  C07C 23/38 ,  C07D493/08 A ,  C07D495/08 ,  C08F 34/02 ,  C08F 34/04 ,  C08F220/18 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (50件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4C071AA03 ,  4C071AA07 ,  4C071BB05 ,  4C071CC11 ,  4C071CC21 ,  4C071DD08 ,  4C071EE05 ,  4C071EE13 ,  4C071FF15 ,  4C071FF23 ,  4C071HH01 ,  4C071LL03 ,  4C071LL05 ,  4H006AA01 ,  4H006AB46 ,  4H006AB92 ,  4H006EA17 ,  4J100AL02R ,  4J100AL03R ,  4J100AL24Q ,  4J100AM45Q ,  4J100AM47Q ,  4J100AR09P ,  4J100BB07P ,  4J100BC53P ,  4J100BC83P ,  4J100CA01 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-266788   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社