特許
J-GLOBAL ID：200903009602775561

金属膜形成処理方法、半導体装置及び配線基板

発明者：
吉谷 昌明

吉谷 昌明 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 石田 敬 ,  土屋 繁 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-360793
公開番号（公開出願番号）：特開2004-190104
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】本発明は、半導体装置等の樹脂基材の表面に金属膜を形成するとき、樹脂基材と金属膜との密着性を紫外線照射によって簡単に向上することができる金属膜形成方法を提供する。【解決手段】コンディショニング処理、Pd活性化処理、無電解銅めっき処理、電解銅めっき処理を樹脂基材の表面に順次施すことによって、該表面上に銅金属膜が形成される。コンディショニング処理において、コンディショニング処理液を、該表面とカバーガラス板との間に層状に薄く介在させ、カバーガラス板の上から該表面に紫外線を照射する。処理液の存在の下で紫外線照射を行うことにより、樹脂表面分子と処理液成分とが化学的に反応し、樹脂表面の活性化が促進され強化されるので、樹脂表面に付着する銅金属の密着度が向上される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
めっき核生成工程と無電解めっき工程に従って処理し、樹脂基材の表面に金属膜を形成処理する方法であって、 前記無電解めっき工程前において使用される処理液を介して前記表面に紫外線を照射することを特徴とする金属膜形成処理方法。
IPC (5件)：
C23C18/20 ,  C25D7/12 ,  H05K3/18 ,  H05K3/24 ,  H05K3/38
FI (5件)：
C23C18/20 A ,  C25D7/12 ,  H05K3/18 C ,  H05K3/24 A ,  H05K3/38 A
Fターム (29件)：
4K022AA05 ,  4K022AA13 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA31 ,  4K022BA36 ,  4K022CA03 ,  4K022CA07 ,  4K022CA12 ,  4K022DA03 ,  4K022DB06 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB17 ,  4K024BA12 ,  4K024BA15 ,  4K024BB11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA06 ,  4K024DA09 ,  5E343AA18 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE32 ,  5E343EE37 ,  5E343GG02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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