特許
J-GLOBAL ID:200903009605613163
光電変換素子とその製造方法
発明者:
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
,
,
,
代理人 (1件):
廣澤 勲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-041535
公開番号(公開出願番号):特開平10-223924
出願日: 1997年02月10日
公開日(公表日): 1998年08月21日
要約:
【要約】【課題】 低コストで生産性が良くかつ光電変換効率の良い光電変換素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 酸化スズと酸化インジウムとの合金(以下ITOという)等の透明な導電膜2を有した導電性基板3上に、平均粒径が100nm以下1nm以上、好ましくは数十nmのアナターゼ型酸化チタン粉末を焼成してなる酸化チタン膜4を形成する。酸化チタン膜4を光入射側電極として備え、酸化チタン膜4に、光の変換波長領域を広げる増感剤としてルテニウム錯体8等を積層してなる。
請求項(抜粋):
透明な導電性基板上に、平均粒径が100nm以下1nm以上のアナターゼ型酸化チタン粉末を焼成してなる酸化チタン膜を、光入射側電極として設けたことを特徴とする光電変換素子。
前のページに戻る