研究者
J-GLOBAL ID:200901007392061820
更新日: 2020年05月30日
松田 敏弘
マツダ トシヒロ | Matsuda Toshihiro
所属機関・部署:
富山県立大学 工学部 情報システム工学科
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職名:
教授
研究分野 (2件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
研究キーワード (4件):
集積回路
, 半導体
, Integrated Circuits
, Semiconductor
競争的資金等の研究課題 (6件):
MOS FETの電気的特性に関する研究
半導体集積回路の設計技術に関する研究
シリコン系半導体の発光現像に関する研究
Study on Electrical Characteristics of MOSFETs
Study on Semiconductor Integrated Circuit Design
Study on Light Emission from Silicon Based Material
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MISC (30件):
Toshihiro Matsuda, Shinsuke Ishimaru, Shingo Nohara, Hideyuki Iwata, Kiyotaka Komoku, Takayuki Morishita, Takashi Ohzone. Current-Voltage Hysteresis Characteristics in MOS Capacitors with Si-Implanted Oxide. IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. 2009. E92C. 12. 1523-1530
Takashi Ohzone, Tatsuaki Sadamoto, Takayuki Morishita, Kiyotaka Komoku, Toshihiro Matsuda, Hideyuki Iwata. A CMOS temperature sensor circuit. IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. 2007. E90C. 4. 895-902
T Matsuda, K Nishihara, M Kawabe, H Iwata, S Iwatsubo, T Ohzone. Blue electroluminescence from MOS capacitors with Si-implanted SiO2. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2004. 48. 10-11. 1933-1941
シリコン・イオン注入したMOS容量からの青色エレクトロルミネッセンス. Solid-State Electronics. 2004. vol.48, no.10-11, pp. 1933-1941
T Matsuda, T Ohzone, S Odanaka, N Koike, K Tatsuuma. A test structure for spectrum analysis of hot-carrier-induced photoomission from MOSFETs. IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2003. 16. 2. 233-238
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学歴 (4件):
- 1999 富山県立大学 工学研究科 電子情報工学
- 1999 富山県立大学
- 1978 京都大学 工学部 電子工学
- 1978 京都大学
学位 (2件):
修士(工学)
博士(工学)
所属学会 (1件):
電子情報通信学会
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