特許

J-GLOBAL ID：200903009630097960

プラズマエッチング方法

発明者： 縄田 誠 ,  薬師寺 守 ,  津国 和之 ,  山崎 一男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241267
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082690
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】クリーニング後のシリコン及び下地膜である酸化膜(SiO2)のエッチング速度の変化を抑制しウエハ間の均一性を向上させる。【構成】クリーニング後にシリコン基板を用いてCl2ガスプラズマでシーズニングを行い、クリーニング後の処理室内の残留物の影響を減少させ、さらにSi基板上に酸化膜(SiO2)を形成した基板を用いてCl2プラズマによる処理(Cl2放電)を行い、シーズニング後の処理室内の残留物の影響を減少させる。

請求項（抜粋）：

フッ素を含むガスプラズマによりクリーニングを行い、クリーニング後、塩素ガス(Cl2)の単独ガスあるいは塩素ガス(Cl2)と酸素ガス(O2)の混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力20mTorr以下でシリコン,多結晶シリコンまたはシリサイドのエッチングを行うエッチング装置において、クリーニング後にシリコン(Si)基板を用いてエッチングガスのプラズマで馴らし放電を行い、さらにSi基板上に酸化膜(SiO2)を形成した基板を用いてCl2プラズマによる処理を行った後エッチングを開始することを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 341 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/304 341 D ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-334951   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-087329
  
• ドライエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-013888   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平1-298180