特許
J-GLOBAL ID：200903009689957970
半導体集積回路およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-235833
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082892
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】面積の小さい可変容量コンデンサを搭載した半導体集積回路を提供すること。【解決手段】BS/CS-FM変調器用のPLL回路中のVCO回路の可変容量部2に上部電極と、高誘電率膜と、下部電極の積層構造にバイアス電圧を印加してなる可変容量コンデンサを搭載した。
請求項（抜粋）：
金属/高誘電率材料/金属又は金属/高誘電率材料/半導体の積層構造からなり、該積層構造にバイアス電圧を印加する手段を有する少なくとも一つの可変容量コンデンサを設けてなることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/04 C
, H01L 27/04 V
