不揮発性メモリ装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-313764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129621
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【構成】基板1上に積層されるフローティングゲート電極層3の表面を研磨処理し平坦化させ後、ゲート絶縁膜を介してコントロールゲート電極層を積層させた不揮発性メモリ装置の製造方法である。【効果】フローティングゲート電極から熱エネルギーによって放出される電子数を少なくすることができ、データー保持特性の向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上にゲート絶縁膜を介して積層されたフローティングゲート電極層と、該フローティングゲート電極層上に絶縁膜を介して形成されたコントロールゲート電極を有する不揮発性メモリ装置の製造方法において、上記フローティングゲート電極層の形成後に、該フローティングゲート電極層の表面の研磨処理を行い、その後、この研磨処理されたフローティングゲート電極層上に絶縁膜を介してコントロールゲート電極層を積層させることを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-226158
特開平1-308079
特開平3-132076

全件表示

前のページに戻る