特許

J-GLOBAL ID：200903009692606143

光半導体素子及び光半導体装置

発明者： 宮本 和弘 ,  佐野 道宏 ,  五月女 博明
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-299755
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111059
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 光半導体素子において、正孔のn型クラッド層へのオーバーフローと光取り出し効率の低下を防止する。【解決手段】 n型MgxZn1-xOクラッド層5と、その上に形成されたInyGa1-yN活性層11と、その上に形成されたp型MgzZn1-zOクラッド層15と、n型MgxZn1-xOクラッド層5に対して電気的にコンタクトを形成する第1の電極23と、p型MgzZn1-zOクラッド層15に対して電気的にコンタクトを形成する第2の電極25とを含む。

請求項（抜粋）：

n型MgxZn1-xOクラッド層と、前記n型MgxZn1-xOクラッド層上に形成されたInyGa1-yN活性層と、前記InyGa1-yN活性層上に形成されたp型MgzZn1-zOクラッド層と、前記n型MgxZn1-xOクラッド層に対して電気的にコンタクトを形成する第1の電極と、前記p型MgzZn1-zOクラッド層に対して電気的にコンタクトを形成する第2の電極とを含む光半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

Fターム (19件)：

5F041AA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F041DA14 ,  5F041DA20 ,  5F041DB08 ,  5F041FF06 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036363   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036363   出願人：株式会社東芝