半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036363
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293936
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】GaN系、ZnSe系半導体装置の動作電圧を低減し、電極からの金属原子の侵入を防止し、低消費電力で長寿命な装置を提供する。【解決手段】Alを高濃度に添加したZnO層をGaN系及びZnSe系半導体装置のオーミックコンタクト形成材料として用いることにより、サファイヤ基板上又はSiC基板上に形成したこれらの半導体装置の動作電圧が大幅に低減される。また前記ZnO層を電極からの金属原子の侵入防止に役立て、長寿命な前記半導体装置を実現することができる。このほかGaN系発光装置において、ZnO層を含む超格子又は短周期超格子を導波層及び活性層として用いることにより、発光効率の向上と発光波長範囲の拡大が図られる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体層を形成する基板と、少なくとも1層の化合物半導体層と、前記化合物半導体層に電流を供給する金属電極とを含む半導体装置において、少なくとも前記基板と前記化合物半導体層との間、及び前記化合物半導体層と前記金属電極との間、及び前記金属電極と前記基板との間、のいずれか1つに、導電性の金属酸化物層が形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C , H01L 33/00 D

引用特許：

出願人引用 (7件)

3族窒化物半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-106058 出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
p型GaN系半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-162473 出願人：三菱電線工業株式会社
特開平4-068579

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