特許
J-GLOBAL ID：200903009705194311
設計パターン補正方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-266376
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100692
出願日： 1998年09月21日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 従来の1次元補正手法を用いて、コーナ近傍やコンタクト部近傍でも高精度かつ高速な補正を行う。【解決手段】 設計パターンに対するウェハ上に形成されるパターンの忠実度を向上させるため、設計パターンを補正してマスクパターンとして用いる設計パターン補正方法であって、設計パターンのパターンコーナ部近傍のエッジについて、コーナ部の丸まりの影響を補正するためのラウンディング補正量分を予め付加しておき、設計パターンから補正の対象となる補正対象エッジを抽出し、次いで抽出した補正対象エッジに対し1次元シミュレータを用いて1次元補正量を求め、求めた1次元補正量分だけ被補正エッジが該エッジと垂直方向に移動するよう補正する。
請求項（抜粋）：
リソグラフィ工程において、所望設計パターンに対するウェハ上に形成されるパターンの忠実度を向上させるため、設計パターンを補正してマスクデータとして用いる方法において、前記設計パターンから補正の対象となる補正対象エッジを抽出する工程と、前記抽出した補正対象エッジに対して、被補正エッジ周辺のパターン配置をラインとスペースで構成されるパターンに近似して得られる1次元補正量を求め、該1次元補正量分だけエッジを垂直方向に移動して補正を行う(1次元補正)工程と、前記補正後のパターンに関し、パターンコーナ部近傍のエッジについて、コーナ部の丸まりの影響を補正するためのラウンディング補正量を求め、該ラウンディング補正量分だけエッジを垂直方向に移動して補正を行う工程と、を含み、この順で補正を行うことを特徴とする設計パターン補正方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 502 W
, H01L 21/30 502 G
, H01L 21/82 Z
5F046AA25
, 5F046DA30
, 5F064DD10
, 5F064DD24
, 5F064DD50
, 5F064EE27
, 5F064HH06
, 5F064HH08
, 5F064HH09
