転写光強度分布のシミュレーション方法、マスクパターン補正方法とそれを用いたマスク、露光方法および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-179952
公開番号（公開出願番号）：特開平9-034101
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】設計パターンに近いレジストパターンを得られるような、マスクパターンを高精度でシミュレーションすることを可能とし、これにより、高歩留まりで高性能なデバイスを生産する手段を提供する。【解決手段】フォトリソグラフィ工程における転写光強度のシミュレーション方法において、入力された設計パターンに対し、設計パターンのコーナーに対して、図形を付加もしくは削除することにより、実際のマスク作成プロセスにおいて発生するフォトマスク上のコーナーラウンディングを考慮したシミュレーション用フォトマスクイメージを作成し、前記フォトマスクイメージを用いて、光強度シミュレーションを行う。

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィ工程における転写光強度のシミュレーション方法において、入力された設計パターンに対し、設計パターンのコーナーに対して、図形を付加もしくは削除することにより、実際のマスク作成プロセスにおいて発生するフォトマスク上のコーナーラウンディングを考慮したシミュレーション用フォトマスクイメージを作成し、前記フォトマスクイメージを用いて、光強度シミュレーションを行うことを特徴とする、光強度分布のシミュレーション方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G06F 17/50 , H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 1/08 S , G03F 1/08 T , G06F 15/60 658 Z , H01L 21/30 502 G , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 514 C , H01L 21/30 516 D , H01L 21/30 519

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-179952
特開平4-179952
特開平1-107530

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