特許

J-GLOBAL ID：200903009706192371

全フツ素化ポリイミド、その中間体および出発物質およびそれらの製造方法ならびに全フツ素化ポリイミド光学材料

発明者： 安藤 慎治 ,  松浦 徹 ,  佐々木 重邦 ,  山本 二三男
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235020
公開番号（公開出願番号）：特開平5-001148
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【構成】 1,4-ビス(3,4-ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン二無水物、1,4-ジフルオロピロメリット酸二無水物または1,4-ビス(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物と、テトラフルオロ-1,3-フェニレンジアミン、テトラフルオロ-1,4-フェニレンジアミン、ビス(4-アミノ-テトラフルオロフェニル)エーテルまたはビス(4-アミノ-テトラフルオロフェニル)スルフィドとから全フッ素化ポリアミド酸を合成し、加熱閉環して全フッ素化ポリイミドを得、これを主構成要素とする光学材料とする。1,4-ビス(3,4-ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン二無水物等の合成法も示す。【効果】 全フッ素化ポリイミドは耐熱性を有するとともに1.0〜1.7μmの光通信波長全域で光損失が低い。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1):【化1】(式中R1 は4価の有機基、R2 は2価の有機基を示し、R1 およびR2 に含まれる炭素と一価元素の化学結合として炭素-フッ素結合のみを含む)で表わされる繰り返し単位を有することを特徴とする全フッ素化ポリイミド。

IPC (4件)：

C08G 73/10 NTF ,  G02B 1/04 ,  G02B 6/00 391 ,  G02B 6/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-189122
  
• 特開昭62-127827
  
• 特開平1-118527