特許
J-GLOBAL ID:200903009707997870

積層セラミックコンデンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 前田 均 ,  西出 眞吾 ,  大倉 宏一郎 ,  佐藤 美樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-024240
公開番号(公開出願番号):特開2005-217305
出願日: 2004年01月30日
公開日(公表日): 2005年08月11日
要約:
【課題】 層間誘電体層2を薄層化した場合でも、DCバイアス特性の向上が期待できる積層セラミックコンデンサ1を提供すること。 【解決手段】 内部電極層3と、3.5μm以下の厚みを持つ層間誘電体層2とを有する積層セラミックコンデンサ1であって、前記層間誘電体層2は、前記内部電極層と接している接触誘電体粒子2aと、前記内部電極層と接していない非接触誘電体粒子2bとで構成されており、前記層間誘電体層2に含まれる複数の誘電体粒子全体の平均粒径をD50とし、前記接触誘電体粒子2aの粒度分布の標準偏差をσとしたとき、D50≦0.25μm、かつσ≦0.14を満足する、積層セラミックコンデンサ1。 【選択図】 図2
請求項(抜粋):
内部電極層と、3.5μm以下の厚みを持つ誘電体層とを有する積層セラミックコンデンサであって、 前記誘電体層は、前記内部電極層と接している接触誘電体粒子と、前記内部電極層と接していない非接触誘電体粒子とで構成されており、 前記誘電体層に含まれる複数の誘電体粒子全体の平均粒径をD50とし、前記接触誘電体粒子の粒度分布の標準偏差をσとしたとき、D50≦0.25μm、かつσ≦0.14を満足する、積層セラミックコンデンサ。
IPC (2件):
H01G4/12 ,  H01G4/30
FI (2件):
H01G4/12 349 ,  H01G4/30 301E
Fターム (8件):
5E001AB03 ,  5E001AD00 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082FF05 ,  5E082FG26 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (9件)
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