特許

J-GLOBAL ID：200903009715308013

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： 瀧 哲也 ,  西島 和樹 ,  牛田 泰久 ,  千田 昌伸 ,  小島 勝紀 ,  大橋 貴志
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-153300
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356442
出願日： 2003年05月29日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子の発光特性を低下させることなく静電耐圧を向上させる。【解決手段】膜厚3nmのノンドープIn0.2Ga0.8Nから成る井戸層1061と膜厚20nmのノンドープGaNから成る障壁層1062とを3ペア積層した多重量子井戸構造の発光層106の負電極側に、膜厚3nmのノンドープIn0.03Ga0.97Nから成る層1051と膜厚20nmのノンドープGaNから成る層1052とを5ペア積層した多重層(静電耐圧向上層)105を形成した。多重層(静電耐圧向上層)105により、印加電圧が発光層のn電極側の一部に集中することなく、発光層のn電極側の広い範囲に広がる作用を奏する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

多重量子井戸構造の発光層を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、 発光層のn電極側に、ノンドープのInxGa1-xN(0<x<1)から成る層とノンドープのGaNから成る層との多重層を有し、 前記多重量子井戸構造の発光層の井戸層は少なくともインジウム(In)を含むIII族窒化物系化合物半導体AlyGa1-y-zInzN(0≦y<1, 0<z≦1)から成り、 前記多重層を形成するInxGa1-xN(0<x<1)から成る層のインジウム(In)の組成xは、前記多重量子井戸構造の発光層の井戸層のインジウム(In)の組成zよりも小さいことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (4件)：

5F041AA31 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-348665   出願人：日亜化学工業株式会社