特許
J-GLOBAL ID：200903022963217551

窒化物半導体素子

発明者：
谷沢 公二

谷沢 公二 について

, 
三谷 友次

三谷 友次 について

, 
丸居 宏充

丸居 宏充 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-348665
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232237
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力のさらなる向上が可能となる窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 活性層7を挟むように、互いに組成の異なるn型多層膜層6[Al<SB>2</SB>Ga<SB>1-z</SB>N(0≦z<1)とIn<SB>p</SB>Ga<SB>1-p</SB>N(0<p<1)とからなる]と、p型多層膜層8[Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)とIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0≦y<1)とからなる。]とを形成してなる。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体とp型窒化物半導体との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、n型窒化物半導体にn型多層膜層を、p型窒化物半導体にp型多層膜層をそれぞれ有し、前記n型多層膜層を構成する窒化物半導体の組成と、p型多層膜層を構成する窒化物半導体の組成とが、異なることを特徴とする窒化物半導体素子。
引用特許：
出願人引用 (11件)
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