面発光型半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012541
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209567
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】キャップ層の影響による半導体多層反射膜による反射鏡の反射率の低下を防止し、レーザ発振しきい値の向上をはかるとともに、消費電力の増大を防止することのできる面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明の第1の特徴は、導電性を有する反射鏡の上面に電流注入用の電極を配設してなる面発光型半導体レーザにおいて、キャップ層および反射鏡最表面の半導体層の膜厚を、所定の厚さに構成するとともに、反射鏡最表面の半導体層の厚さはその媒質の屈折率で補正した波長の1/4よりも小さく、かつキャップ層および反射鏡最表面の半導体層との膜厚をそれらの媒質の屈折率で補正した厚さの和は波長の1/4よりも大きくなるように調整したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

導電性を有する反射鏡の上面に電流注入用の電極を配設してなる面発光型半導体レーザにおいて、反射鏡最表面の半導体層の厚さはその媒質の屈折率で補正した波長の1/4よりも小さくであり、かつキャップ層および反射鏡最表面の半導体層との膜厚をそれらの媒質の屈折率で補正した厚さの和は波長の1/4よりも大きくなるように調整したことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-273492
半導体レーザアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-245297 出願人：株式会社東芝

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