特許

J-GLOBAL ID：200903009761941294

Cu-In-Seの多相平衡に基づく化合物の製造

発明者： ティロ ゲデッケ ,  フランク エルンスト
出願人/特許権者： マックス-プランク-ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオ
代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-507092
公開番号（公開出願番号）：特表2004-501859
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

本発明は、固体組成物の製造のための、Cu-In-Seの状態図中に示されたような多相平衡の使用に関する。更に、好ましくは単一相の組成物として、液相からα CuInSe2を直接得るための新規方法及び新規の単一相のα CuInSe2組成物が提供される。

請求項（抜粋）：

元素Cu、In及びSeを含んでいる固体組成物の製造のための系の液相面を含む、状態図Cu-In-Seの使用。

IPC (3件)：

C30B29/52 ,  C30B15/00 ,  H01L31/04

FI (3件)：

C30B29/52 ,  C30B15/00 Z ,  H01L31/04 E

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BA07 ,  4G077CF10 ,  4G077EC08 ,  4G077HA06 ,  4G077PA16 ,  5F051AA10 ,  5F051BA13 ,  5F051CB30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-239585   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-239585   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

出願人引用 (2件)

• THE PHASE RELATIONS IN THE Cu,In,Se SYSTEM AND THE GROWTH OF CuInSe2 SINGLE CRYSTALS
• Phase relations in the ternary system Cu-In-Se

審査官引用 (2件)

• THE PHASE RELATIONS IN THE Cu,In,Se SYSTEM AND THE GROWTH OF CuInSe2 SINGLE CRYSTALS
• Phase relations in the ternary system Cu-In-Se