特許
J-GLOBAL ID：200903071876254166
半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239585
公開番号（公開出願番号）：特開平10-088320
出願日： 1996年09月10日
公開日（公表日）： 1998年04月07日
要約：
【要約】【課題】 大面積で均質かつ禁制帯幅を制御したカルコパイライト構造半導体薄膜を量産する方法を提供する。特に、カルコパイライト構造半導体薄膜を用いた高いエネルギー変換効率が得られる太陽電池を提供する。【解決手段】 Mo膜を被覆したガラス基板1上にIb族であるCu(2)とIIIb族であるIn(3)の金属薄膜を順次堆積した金属前駆体を石英管4中に入れ、外部ヒータ5を用いて熱処理する。恒温槽7により一定の蒸気圧に保たれたVIb元素を含む有機物ジエチルセレン(Se(C2H5)2)6に輸送ガス8を流入して石英管にSe(C2H5)2を導入する。これとは別に雰囲気ガス9を石英管に導入する。ガス流量制御器10で設定された輸送ガスの流量で石英管中のSe(C2H5)2の濃度を制御し、ガス流量制御器11で設定した雰囲気ガスの流量にて反応圧力を制御する。
請求項（抜粋）：
Ib族とIIIb族元素からなる金属薄膜を、VIb族元素を含む有機物及びVIb族元素と炭素を含む無機物から選ばれる少なくとも一つを供給した雰囲気中で熱処理する工程を含む半導体薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/14
, C23C 14/58
, H01L 31/04
C23C 14/14 D
, C23C 14/58 A
, H01L 31/04 E
