特許
J-GLOBAL ID：200903009780978131
半導体ナノ粒子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
安富 康男
, 諸田 勝保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-141739
公開番号（公開出願番号）：特開2006-315923
出願日： 2005年05月13日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：
【課題】 粒子径の揃った半導体ナノ粒子を容易に製造することができる半導体ナノ粒子の製造方法を提供する。【解決手段】 逆ミセル法により半導体ナノ粒子を製造する方法であって、トルエン中に、半導体ナノ粒子の原料となる極性液と、界面活性剤としてテトラオクチルアンモニウムブロマイドとを添加し、攪拌して逆ミセルを形成する逆ミセル形成工程と、得られた逆ミセルを、LiBH4、LiAlH4、LiBH(CH2CH3)3からなる群より選択される少なくとも1種の還元剤を用いて還元する還元工程とを有する半導体ナノ粒子の製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
逆ミセル法により半導体ナノ粒子を製造する方法であって、
トルエン中に、半導体ナノ粒子の原料となる極性液と、界面活性剤としてテトラオクチルアンモニウムブロマイドとを添加し、攪拌して逆ミセルを形成する逆ミセル形成工程と、
得られた逆ミセルを、LiBH4、LiAlH4、LiBH(CH2CH3)3からなる群より選択される少なくとも1種の還元剤を用いて還元する還元工程とを有する
ことを特徴とする半導体ナノ粒子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4C085HH11
, 4C085JJ03
, 4C085KA27
, 4C085KB07
, 4G072AA01
, 4G072BB05
, 4G072GG03
, 4G072HH08
, 4G072JJ34
, 4G072KK17
, 4G072RR04
, 4G072UU01
, 4G072UU30
出願人引用 (1件)
-
半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-161882
出願人：株式会社東芝
審査官引用 (1件)
-
半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-161882
出願人：株式会社東芝
引用文献：
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