特許

J-GLOBAL ID：200903020994256900

半導体発光素子

発明者： 山本 和重 ,  リチャード ティリー
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-161882
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363436
出願日： 2003年06月06日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】高い正孔移動度が得られるp型層を設けることにより素子の厚膜化を可能とし、大面積化してもショートなどの問題を解消できる半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】陽極(12)と、前記陽極に対向して設けられた陰極(20)と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた活性層(16)と、前記陽極と前記活性層との間に設けられたp型層(14)と、を備え、前記p型層は、シリコン(Si)及びゲルマニウム(Ge)及びシリコン・ゲルマニウム化合物のいずれか、またはこれらの混合物からなるコア(100A)と、前記コアを取り囲み低正孔バリア性を有する材料からなるシェル(100B)と、を有する第1のドット(100)を含むことを特徴とする半導体発光素子を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

陽極と、 前記陽極に対向して設けられた陰極と、 前記陽極と前記陰極との間に設けられた活性層と、 前記陽極と前記活性層との間に設けられたp型層と、 を備え、 前記p型層は、シリコン(Si)、またはゲルマニウム(Ge)、またはシリコン・ゲルマニウム化合物、またはこれらの混合物からなるコアと、前記コアを取り囲む低正孔バリア性を有する材料からなるシェルと、を有する第1のドットを含むことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (7件)：

5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA46 ,  5F041CA88 ,  5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体超微粒子の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-154765   出願人：三菱化学株式会社