特許

J-GLOBAL ID：200903009816160050

静電浮遊炉

発明者： 湯澤 眞理 ,  阿波 祐二 ,  下地 治彦 ,  福島 一彦 ,  森田 知二 ,  中村 富久 ,  唐澤 宏喜 ,  池田 俊民 ,  中村 泰 ,  土屋 美和
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  宇宙開発事業団
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401968
公開番号（公開出願番号）：特開2002-206865
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、材料の位置制御用電極数の削減による省スペース化、材料交換およびサイズ変更時の作業工数の削減、材料位置検出の高精度化を実現できる静電浮遊炉を得る。【解決手段】 材料の位置制御用電極数の削減による省スペース化の解決手段としては、上部および下部電極13、14をそれぞれ円盤状の平板電極を3分割してなる3枚の扇形電極とする。なお、上部または下部電極のいずれか一方を1枚の円盤状電極としてもよい。

請求項（抜粋）：

帯電させた材料を静電界によりチャンバ内空中に浮かせるようにした静電浮遊炉において、前記チャンバ内に上下方向に相対して平行に配設されるとともに、それぞれが3枚の扇型分割電極に構成され、帯電している前記材料を静電力による反発力で前記チャンバ内に浮かせるための電界を発生する上部および下部電極と、前記上部および下部電極を構成する全ての構成電極部に印加する電圧を制御し、帯電している前記材料に作用する静電界を制御することによって前記材料の浮遊位置を制御する位置制御装置とを備えていることを特徴とする静電浮遊炉。