特許

J-GLOBAL ID：200903009861508610

半導体部品の検査装置および検査方法

発明者： 岡安 裕 ,  長坂 昭吾 ,  大西 徹也
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 飯塚 信市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141018
公開番号（公開出願番号）：特開平10-318722
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 高速且つ高精度で安価な半導体部品の検査装置および検査方法を提供する。【解決手段】 照射手段111により半導体部品100の裏面側より赤色光を含む光を照射して、検査手段103〜105では、撮像手段113の取得した赤色透過光による画像および光の強度に基づいて薄膜加工部分の形状および膜厚の均一性、並びに、半導体部品100の欠損または破壊部分を検出して良否検査し、取得した透過光による画像に基づいて光を透過しない部分の形状を検出して良否検査し、取得した白色光による画像に基づいてガラス割れの有無を検査する。

請求項（抜粋）：

半導体部品の裏面側より赤色光を含む光を照射する照射手段と、前記半導体部品の表面側に位置して前記照射手段からの透過光による前記半導体部品の像を取得する撮像手段と、前記撮像手段の取得した赤色透過光による画像および光の強度に基づいて前記半導体部品の検査を行う検査手段と、を具備すること、を特徴とする半導体部品の検査装置。

IPC (5件)：

G01B 11/06 ,  G01B 11/30 ,  G01B 11/30 101 ,  H01L 21/66 ,  H01L 29/84

FI (5件)：

G01B 11/06 H ,  G01B 11/30 D ,  G01B 11/30 101 A ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 29/84 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコン板厚み測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-233384   出願人：セイコーエプソン株式会社