特許

J-GLOBAL ID：200903009869834923

ZnO系薄膜及びZnO系半導体素子

発明者： 中原 健 ,  赤坂 俊輔 ,  川崎 雅司 ,  大友 明 ,  塚崎 敦
出願人/特許権者： ローム株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-005975
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021540
出願日： 2008年01月15日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】製造装置への負担を軽くすることができ、ドーピングの制御性や再現性が良くなり、かつ結晶構造を変化させずにp型伝導が得られるZnO系薄膜及びZnO系半導体素子を提供する。【解決手段】 ZnO系薄膜は、p型化を行うために、基本構造をMgZnO/ZnO超格子層3の超格子構造とし、この超格子層は、アクセプタドーピングされたMgZnO層3bとアクセプタドーピングされたZnO層3aとの積層構造で形成されているので、ドーピングの制御性や再現性が良くなり、かつドーピング材料による結晶構造の変化を防止できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

MgZnO層とZnO層との積層構造を有する超格子層であって、前記MgZnO層又はZnO層の少なくとも一方の層にアクセプタドーピングが施されていることを特徴とするZnO系薄膜。

IPC (6件)：

H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/225 ,  C23C 14/08

FI (7件)：

H01L29/78 652T ,  H01L33/00 D ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/225 ,  C23C14/08 N

Fターム (26件)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA03 ,  5F041AA31 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA73 ,  5F140AA40 ,  5F140BA10 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BG30 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-035005   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
• 酸化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-003515   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
• ZnO系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-050906   出願人：ローム株式会社, 国立大学法人東北大学