特許

J-GLOBAL ID：200903009870469198

半導体記憶装置

発明者： 岩井 秀俊 ,  村中 雅也 ,  那須 巧 ,  助川 俊一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196603
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020494
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 小さな回路規模によりランダム欠陥救済を実現した半導体記憶装置を提供する。【構成】 X系のアドレスによりアクセスが行われて欠陥セルが存在するY系アドレス信号が電気的に書き込まれるROMを設け、このROMの読み出し信号とY系のアドレス信号とを比較して、一致したときY系の正規回路に代えてY系の冗長回路を選択させる。【効果】 ROMは欠陥が存在するY系アドレス信号を記憶するものであるので素子数を低減できるし、比較回路はY系アドレスのみを比較すること及びY系の全アドレスにに共通に利用できるから回路規模を大幅に縮小させることができる。

請求項（抜粋）：

X系のアドレスによりアクセスが行われて欠陥セルが存在するY系アドレス信号が電気的に書き込まれるROMと、このROMの読み出し信号とY系のアドレス信号とを比較する比較回路と、この比較一致出力によりY系の正規回路に代えてY系の冗長回路を選択させる欠陥救済回路を備えてなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 301 ,  G11C 11/401

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-064979   出願人：株式会社東芝
• 特開昭56-134399
  
• 特開昭56-134399