特許
J-GLOBAL ID：200903009883640791
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141570
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326487
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】シリコン基板表面に形成したシリコン熱酸化膜内の圧縮応力を緩和して欠陥を消失させることが可能で、かつ積層酸化膜全体としての電気的な耐圧特性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン熱酸化膜4上にCVDシリコン酸化膜5を堆積してシリコン熱酸化膜4内のウイークスポットを埋め込んだ後に、CVDシリコン酸化膜5内部に引張り応力が残留する900°C以下、好ましくは850°C以下の温度で稠密化熱処理を行う。これにより、シリコン熱酸化膜4内のウイークスポットの埋め込みに加えて、シリコン熱酸化膜4内に残留した圧縮応力がCVDシリコン酸化膜5の引張り応力で緩和され、欠陥密度が低減し、CVDシリコン酸化膜5自体も稠密化される。
請求項（抜粋）：
シリコン基板表面に所定パターンの素子分離膜を形成した後に、前記素子分離膜を形成していない素子形成領域のシリコン基板表面を熱酸化して素子用絶縁被膜としてのシリコン熱酸化膜を形成し、その後前記シリコン熱酸化膜上に化学気層蒸着によりCVDシリコン酸化膜を堆積し、前記CVDシリコン酸化膜上に各種素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記CVDシリコン酸化膜の堆積後でかつ前記各種素子の形成前に、前記CVDシリコン酸化膜内に存在する引張残留応力が残る状態を保持する温度で前記CVDシリコン酸化膜の稠密化熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/316 P
