特許
J-GLOBAL ID:200903009895277811

半導体基板エッチング方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-512110
公開番号(公開出願番号):特表平8-502148
出願日: 1994年10月11日
公開日(公表日): 1996年03月05日
要約:
【要約】基板を回転させる工程と、少なくとも一部は溶けた気体を含む加圧されたエッチング液14の泡立ちにより形成される流れる泡と回転された基板を接触させる工程とを含む、半導体基板50のエッチング方法。
請求項(抜粋):
基板を回転させる工程と、 回転している基板を、溶けた気体を含むエッチング液の泡立ちによって形成されたバブルを含む流れる泡に接触させる工程とを含む半導体基板のエッチング方法。
引用特許:
審査官引用 (10件)
  • 特開平4-151837
  • 特開昭59-110782
  • 特開昭53-144265
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