半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180671
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029314
出願日： 1992年07月08日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】MOSトランジスタ及びMOSキャパシタ等のゲート酸化膜の容量低下、絶縁膜厚増加及び絶縁性の劣化なしに、ゲート絶縁膜とシリコン基板の界面特性を向上させた半導体装置を提供すること。【構成】シリコン基板101と、このシリコン基板上に形成されたゲート酸化膜103と、この上に形成されたゲート電極106とを有し、窒素原子が、このシリコン基板101及びゲート電極106の少なくとも一方並びにゲート酸化膜103に導入された半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された電極とを有する半導体装置において、上記半導体基板及び上記電極の少なくとも一方並びに上記絶縁膜は、窒素原子が導入された領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 29/62

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 H

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平2-237024
特開平3-198337
特開平3-163876

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