特許
J-GLOBAL ID：200903009914391116

保護回路を有する半導体装置

発明者：
北川 信孝

北川 信孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321060
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093497
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】ESDの放電電流により発生するホールド電圧を低くして半導体装置の構成素子の微細化に適応できる保護回路を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置の電源端子やI/O端子などの外部接続端子T1と接地端子などの基準端子T2との間にNPN型バイポーラトランジスタ12を接続し、このNPN型バイポーラトランジスタ12のベースとコレクタとの間にPMOSトランジスタ13を接続し、ESD電圧を検知する制御回路15、16の出力信号によりこのPMOSトランジスタ13を導通させることにより端子T1からT2に対してESD電流を放電させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被保護半導体装置の外部接続端子と基準端子との間にコレクタ、エミッタが接続されたNPN型バイポーラトランジスタと、 このNPN型バイポーラトランジスタのベースとコレクタとの間に接続されたドレイン端子とソース端子とを有し、前記NPN型バイポーラトランジスタのベースにベース電流を供給するPMOSトランジスタと、 前記外部接続端子における電圧に応答して前記PMOSトランジスタのゲートに制御信号を供給する制御回路と、 を具備することを特徴とする保護回路を有する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092
FI (5件)：
H01L27/04 H ,  H01L27/06 311A ,  H01L27/06 311C ,  H01L27/08 321H ,  H01L27/06 101P
Fターム (34件)：
5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA02 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AB05 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AC03 ,  5F048CC01 ,  5F048CC05 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC09 ,  5F048CC10 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16 ,  5F082AA08 ,  5F082AA33 ,  5F082BC01 ,  5F082BC09 ,  5F082BC11 ,  5F082BC13 ,  5F082BC15 ,  5F082FA12 ,  5F082FA13 ,  5F082FA16 ,  5F082GA04
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 過電圧の保護回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-133886   出願人：旭化成マイクロシステム株式会社
  • 直流電源回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191329   出願人：日本電熱株式会社

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