過電圧の保護回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133886
公開番号（公開出願番号）：特開平11-332089
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】集積エリアの有効利用等が行え、簡易な構成でサージ電圧等の急激な電圧変化から被保護回路を保護する過電圧の保護回路の提供。【解決手段】 MOSFET21は、サージにより電源電圧が急激に変化する場合に、サージ電流を逃がすものである。このMOSFET21は、p型ウエル12をゲート電極Gに接続させている。このような外部接続により、MOSFET21内には、ドレインD、p型ウエル12、およびソースSからなる本来のMOSFETが形成される他に、n型の基板11、p型ウエル12、およびn型領域のソースSによって縦型からなるnpn型のトランジスタ22が形成され、n型領域のドレインD、p型ウエル12、およびn型領域のソースSによってnpn型のトランジス23が形成される。これにより、上記のサージ電流をトランジスタ22、23でバイパスできる。

請求項（抜粋）：

供給された直流電圧に電圧変化が生じたときに、その電圧変化による電荷を集積回路化されたMOSFETにより逃がすようにした過電圧の保護回路において、前記MOSFETは、ゲート電極とボディ部とを電気的に接続することを特徴とする過電圧の保護回路。

IPC (5件)：

H02H 7/20 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78 , H02H 9/04

FI (4件)：

H02H 7/20 F , H02H 9/04 B , H01L 27/04 H , H01L 29/78 301 K

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-249271 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
半導体保護装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-210240 出願人：日産自動車株式会社
集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-071655 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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審査官引用 (3件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-249271 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
半導体保護装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-210240 出願人：日産自動車株式会社
集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-071655 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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