特許

J-GLOBAL ID：200903009929271273

単結晶育成装置

発明者： 川口 義之
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-337503
公開番号（公開出願番号）：特開2005-104751
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 浮遊帯域溶融法において、結晶成長部の温度分布の制御を可能にし、結晶性の良い単結晶を育成することができる単結晶育成装置を提供すること。 【解決手段】 浮遊帯域溶融法による単結晶の製造装置に使用する高周波誘導加熱コイルであって、溶融帯部3に配置された複数コイル1と、育成単結晶部2に配置された複数コイル5から成り、溶融帯部と育成単結晶部の2箇所に、溶融帯幅を1としたとき軸方向に1.5〜2.5倍の間隔を隔てて、高周波磁界による加熱部を発生するように構成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

浮遊帯域溶融法により原料棒から単結晶を育成するための高周波誘導加熱コイルを備えた単結晶育成装置であって、前記高周波誘導加熱コイルは、原料棒を溶融する第1の加熱コイルと、該第1の加熱コイルによって生じた溶融帯部から形成された単結晶部を、前記第1の加熱コイルより低温で加熱する第2の加熱コイルとから構成されていることを特徴とする単結晶育成装置。

IPC (2件)：

C30B13/20 ,  C30B29/10

FI (2件)：

C30B13/20 ,  C30B29/10

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BE06 ,  4G077CE03 ,  4G077CE04 ,  4G077EA02 ,  4G077EG19 ,  4G077ND05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高周波誘導加熱コイル装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202312   出願人：財団法人半導体研究振興会, 東北特殊鋼株式会社