特許
J-GLOBAL ID：200903009931963409
磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216844
公開番号（公開出願番号）：特開2000-048326
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】磁気抵抗効果型ヘッド素子作製工程中における静電破壊を防止するため、電極と磁気シールド膜を導通させておくと効果があるが、素子作製工程終了時に素子の抵抗測定や絶縁性能測定ができず、素子の合否判定がくだせず、磁気シールドと磁気センサが短絡あるいは擬似短絡した素子が後工程へ流れてしまい、磁気記憶装置の信頼性を低下させてしまう。【解決手段】基板上に形成される複数の再生用素子の各磁気シールド、複数の記録用の各磁極を第一の導電体に電気的に接続し、複数の再生用素子の各電極を第二の導電体で前記第一の導電体に電気的に接続した磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体により達成される。
請求項（抜粋）：
基板上に複数の素子が形成された磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体において、複数の再生用素子の各磁気シールド、又は複数の記録用素子の各磁極、あるいは、複数の再生用素子の各磁気シールドと、複数の記録用素子の各磁極が電気的に接続された第一の導電体と、複数の再生用素子の各電極を該第一の導電体に電気的に接続する第二の導電体とを有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体。
Fターム (5件)：
5D034BA02
, 5D034BA08
, 5D034BB08
, 5D034CA07
, 5D034DA07
