特許

J-GLOBAL ID：200903009957375513

基板処理装置

発明者： 島田 真一 ,  宮田 敏光 ,  塚本 秀之 ,  小川 友和 ,  岡 威憲
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102011
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311648
出願日： 2003年04月04日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】処理室を効率よく昇降温させる。【解決手段】処理室12を加熱するヒータユニット30を備えた酸化・拡散装置10において、ヒータユニット30は処理室12の外側に設置された第一反射体34と、第一反射体34の外側に空間36をとって設置された第二反射体35とからなる断熱槽33を備えており、断熱槽33には空間36を排気する排気管38と空間にガスを供給する供給管37が接続されている。【効果】第一反射体および第二反射体の熱容量を小さく設定することにより、断熱槽で消費される熱エネルギーを抑制でき、昇降温レートを大きく設定できるので、処理室を効率よく昇降温でき、総処理時間を短縮できるとともに、省エネルギーを実現できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、この処理室を加熱するヒータユニットとを備えている基板処理装置において、 前記ヒータユニットは前記処理室の外側を取り囲むように敷設された発熱体と、この発熱体を取り囲むように敷設された第一反射体と、この第一反射体の外側を空間をとって取り囲むように敷設された第二反射体と、前記空間を排気する排気管と、前記空間にガスを供給する供給管とを備えていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/31 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

FI (3件)：

H01L21/31 E ,  H01L21/22 511A ,  H01L21/324 K

Fターム (11件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC15 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB12 ,  5F045EC02 ,  5F045EE14 ,  5F045EK08 ,  5F045EK24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-099348   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平1-300517
  
• 熱処理炉用ヒータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-394423   出願人：光洋サーモシステム株式会社