特許

J-GLOBAL ID：200903009959430759

電子ビーム描画方法

発明者： 小笠原 宗 博 ,  上久保 貴 司 ,  清 水 みつ子 ,  大 木 進 ,  安 瀬 博 人 ,  日 暮 等 ,  阿 部 隆 幸 ,  高 松 潤 ,  砂 押 仁 ,  下 村 尚 治 ,  服 部 芳 明 ,  飯 島 智 浩 ,  斎 藤 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝機械株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-243366
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077296
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 精度の良いパターンを得ることを可能にする。【解決手段】 試料の描画領域内の点Yに単位照射量の電子ビームを照射したときの前記描画領域内の点Xにおける、遠距離感光作用による単位照射量当りの照射量密度分布ρ(X,Y)を求めるステップと、パターンを描画すべき、レジストが塗布された試料の描画領域をn(≧2)個の小領域i(1≦i≦n)に分割するステップと、描画すべきパターンに基づいて各小領域iにおける照射量Diを求めるステップと、前記照射量密度分布ρ(X,Y)および前記照射量Di に基づいて、各小領域iにおける遠距離感光作用による照射量密度Fi を求めるステップと、各小領域iにおける照射量密度Fi に基づいて、対応する領域の、遠距離感光作用による影響を除去するための照射量密度Ci を求めるステップと、各小領域i毎に求めた照射量密度Ci となるように、対応する小領域を電子ビームで照射するステップと、を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

試料の描画領域内の点Yに単位照射量の電子ビームを照射したときの前記描画領域内の点Xにおける、遠距離感光作用による単位照射量当りの照射量密度分布ρ(X,Y)を求めるステップと、パターンを描画すべき、レジストが塗布された試料の描画領域をn(≧2)個の小領域i(1≦i≦n)に分割するステップと、描画すべきパターンに基づいて各小領域iにおける照射量Di を求めるステップと、前記照射量密度分布ρ(X,Y)および前記照射量Di に基づいて、各小領域iにおける遠距離感光作用による照射量密度Fi を求めるステップと、各小領域iにおける照射量密度Fi に基づいて、対応する領域の、遠距離感光作用による影響を除去するための照射量密度Ci を求めるステップと、各小領域i毎に求めた照射量密度Ci となるように、対応する小領域を電子ビームで照射するステップと、を備えたことを特徴とする電子ビーム描画方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (2件)：

H01L 21/30 541 M ,  G03F 7/20 504

Fターム (6件)：

2H097BB01 ,  5F056BA02 ,  5F056BA05 ,  5F056BC01 ,  5F056CB03 ,  5F056CD03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-058829
  
• 特開平1-270317
  
• 特開昭62-021215
  
• フォトマスクの作製方法、レジスト材料への電子線ビーム照射補正量の決定方法、並びにフォトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-178539   出願人：ソニー株式会社