特許
J-GLOBAL ID：200903036017119559

フォトマスクの作製方法、レジスト材料への電子線ビーム照射補正量の決定方法、並びにフォトマスク

発明者：
小山 雅章

小山 雅章 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-178539
公開番号（公開出願番号）：特開平10-010701
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】フォトマスクの作製に使用されるマスクパターンデータ量を増加させることなく、マスクパターンの密度(描画率)に起因して、ドライエッチング時、エッチングされたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれることを出来る限り無くし、所望寸法のマスクパターンを有するフォトマスクを作製し得る方法を提供する。【解決手段】フォトマスクの作製方法においては、ドライエッチング時、形成すべきマスクパターンの密度に起因してエッチングされたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれることを無くすべく、フォトマスク基板上に形成すべきマスクパターンの単位区画当たりの密度に基づき、レジスト材料に照射すべき電子線ビームの該単位区画当たりの照射補正量を決定し、該照射補正量に基づく照射量の電子線ビームにて所望の描画パターンをレジスト材料に描画する。
請求項（抜粋）：
フォトマスク基板上に形成された遮光膜若しくは半遮光膜上のレジスト材料に電子線ビームにて所望のパターンを描画した後、該レジスト材料を現像し、パターニングされたレジスト材料をエッチング用マスクとして遮光膜若しくは半遮光膜をドライエッチングし、遮光膜若しくは半遮光膜から成るマスクパターンをフォトマスク基板上に形成するフォトマスクの作製方法であって、ドライエッチング時、形成すべきマスクパターンの密度に起因してエッチングされたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれることを無くすべく、フォトマスク基板上に形成すべきマスクパターンの単位区画当たりの密度に基づき、レジスト材料に照射すべき電子線ビームの該単位区画当たりの照射補正量を決定し、該照射補正量に基づく照射量の電子線ビームにて所望の描画パターンをレジスト材料に描画することを特徴とするフォトマスクの作製方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 1/08 B ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 J
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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