特許

J-GLOBAL ID：200903009978492749

レーザ加工方法

発明者： 佐藤 秀己 ,  寺林 隆夫 ,  雨宮 恭子 ,  大幸 洋一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-157735
公開番号（公開出願番号）：特開平9-010971
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1997年01月14日
要約：

【要約】【目的】 有機絶縁層がガラスクロス等を含む不均質な多層配線基板であっても、任意の深さおよび径のバイアホールを精度よく、しかも簡単に形成することができるレーザ加工方法の提供。【構成】 多層配線基板に所定波長のレーザ光を照射して多層配線基板の表層導体から内層導体に通じるバイアホールを加工形成するレーザ加工方法において、(i)前記レーザ光を直接多層配線基板の表層導体に集光して照射し、(ii)前記レーザ光が、前記表層導体および絶縁層に所定の径の穴を加工形成して内層導体に達した際、該内層導体に発生する固有の輝線スペクトルの主ピークを検出し、(iii)該検出した内層導体上の位置を、前記加工形成した穴の加工終点として決定しバイアホール加工を停止する。

請求項（抜粋）：

XYステージ上に表層導体、有機もしくは無機材からなる絶縁層および少なくとも1層の内層導体とから構成された多層配線基板を載置し、該多層配線基板に所定波長のレーザ光を照射して多層配線基板の表層導体から内層導体に通じるバイアホールを加工形成するレーザ加工方法において、(i)前記レーザ光を直接多層配線基板の表層導体に集光して照射し、(ii)前記レーザ光が、前記表層導体および絶縁層に所定の径の穴を加工形成して内層導体に達した際、該内層導体に発生する固有の輝線スペクトルの主ピークを検出し、(iii)該検出した内層導体上の位置を、前記加工形成した穴の加工終点として決定しバイアホール加工を停止することを特徴とするレーザ加工方法。

IPC (4件)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46

FI (6件)：

B23K 26/00 P ,  B23K 26/00 N ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 X

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 内層パターン切断方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-031044   出願人：富士通株式会社