特許

J-GLOBAL ID：200903009983662881

窒化物系半導体発光素子及びその製造方法

発明者： ヒョクミン リ ,  ヒョンギョン キム ,  ドンジュン キム ,  ヒョンス シン
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (1件)： 高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-273878
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103951
出願日： 2006年10月05日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

【課題】発光が優先的に発生するp型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少させ得る窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物系半導体発光素子200は基板201と、前記基板上に形成されたn型窒化物半導体層202と、前記n型窒化物半導体層の所定領域上に順に形成された活性層203及びp型窒化物半導体層204と、前記p型窒化物半導体層上に形成された透明電極205と、前記透明電極上に形成され、前記p型窒化物半導体層の外側エッジラインから50〜200μm分だけ離隔されたp型電極パッド206と、前記n型窒化物半導体層上に形成されたn型電極パッド207とを備える。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、 前記n型窒化物半導体層の所定領域上に順に形成された活性層及びp型窒化物半導体層と、 前記p型窒化物半導体層上に形成された透明電極と、 前記透明電極上に形成され、前記p型窒化物半導体層の外側エッジラインから50〜200μm分だけ離隔されたp型電極パッドと、 前記n型窒化物半導体層上に形成されたn型電極パッドと を備える窒化物系半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  H01L29/44 L ,  H01L21/28 301B

Fターム (20件)：

4M104AA04 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93

引用特許：

審査官引用 (2件)

• III族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-101990   出願人：豊田合成株式会社
• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-079300   出願人：シャープ株式会社