特許

J-GLOBAL ID：200903009990846220

半導体層形成用材料、半導体素子の形成方法、半導体素子、電子デバイスおよび電子機器

発明者： 篠原 祐治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-117868
公開番号（公開出願番号）：特開2006-302927
出願日： 2005年04月15日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】キャリア輸送能の優れた半導体層を形成することができる半導体層形成用材料、優れたキャリア輸送能を有する半導体層を備える半導体素子を形成することができる半導体素子の形成方法、かかる半導体素子の製造方法により製造された半導体素子、かかる半導体素子を備える電子デバイスおよび信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の半導体層形成用材料は、半導体材料と、多孔質粒子と、分散媒とを含有し、前記半導体材料は、その一部が前記多孔質粒子の空孔内に充填された状態で存在している。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体材料と、多孔質粒子と、分散媒とを含有し、 前記半導体材料は、その一部が前記多孔質粒子の空孔内に充填された状態で存在していることを特徴とする半導体層形成用材料。

IPC (1件)：

H01L 51/50

FI (2件)：

H05B33/22 D ,  H05B33/14 B

Fターム (4件)：

3K007AB03 ,  3K007AB05 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン、その製法およびそれを用いた有機EL素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-094819   出願人：ケミプロ化成株式会社
• 有機EL素子の製造方法および有機EL表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-004682   出願人：セイコーエプソン株式会社