特許

J-GLOBAL ID：200903010040253409

有機半導体薄膜の作製方法

発明者： 中嶋 一雄 ,  佐▲崎▼ 元
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (8件)： 杉村 興作 ,  高見 和明 ,  徳永 博 ,  岩佐 義幸 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志 ,  冨田 和幸 ,  阿相 順一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-311715
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079535
出願日： 2003年09月03日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】高結晶品質の有機半導体薄膜を簡易かつ安価に提供する。【解決手段】基板表面上に、ステップ、長周期構造、バッファ層、又はドット構造を形成し、その後、前記ステップ、前記長周期構造、前記バッファ層、又は前記ドット構造を介して目的とする有機半導体薄膜を形成する。また、基板表面に目的とする有機半導体薄膜を形成した後、前記有機半導体薄膜に、薄膜を構成する材料の蒸発直前の温度でアニール処理を施す。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板の表面にステップを形成する工程と、 前記基板の前記表面上に前記ステップを介して配向性の有機半導体薄膜を形成する工程と、 を具えることを特徴とする、有機半導体薄膜の作製方法。

IPC (4件)：

H01L51/00 ,  H01L21/363 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (4件)：

H01L29/28 ,  H01L21/363 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (12件)：

3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD25 ,  5F103GG10 ,  5F103HH03 ,  5F103HH10 ,  5F103LL02 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-063418
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• PTCDAの水素終端Si(111)基板上へのエピタキシャル成長:基板温度依存性