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J-GLOBAL ID：200902156922560180   整理番号：02A0859167

PTCDAの水素終端Si(111)基板上へのエピタキシャル成長 基板温度依存性

著者 (8件)： 藤野卓保 (東北大 金属材料研) ,  佐崎元 (東北大 金属材料研) ,  宇治原徹 (東北大 金属材料研) ,  藤原航三 (東北大 金属材料研) ,  宇佐美徳隆 (東北大 金属材料研) ,  高橋英志 (東北大 金属材料研) ,  松原英一郎 (東北大 金属材料研) ,  中嶋一雄 (東北大 金属材料研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 63rd  号： 3  ページ： 1080  発行年： 2002年09月24日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： ペリレンテトラカルボン酸二無水物

タイトルに関連する用語 (5件)： PTCDA ,  水素終端 ,  Si ,  エピタキシャル成長 ,  温度依存性